在晶圓/芯片生產過程中，開鴻盛世超細無塵布是保障潔凈度和產品良率的關鍵耗材，其應用貫穿光刻、蝕刻、薄膜沉積、封裝測試等核心工序。以下是具體應用場景、操作要點及性能要求： 一、核心應用場景與功能  1.光刻工序：基板清潔與光刻膠預處理 -場景： 光刻前需徹底清潔晶圓表面，去除吸附的灰塵、金屬離子、有機物（如人體油脂），避免光刻膠涂覆不均或曝光時產生缺陷（如針孔、線條模糊）。 -操作要點： - 用超細無塵布（聚酯纖維+聚酰胺混合材質）蘸取高純度異丙醇（IPA）或去離子水（DI Water），以順時針螺旋軌跡輕柔擦拭晶圓表面，確保每個區(qū)域覆蓋均勻。 - 對于6英寸/8英寸晶圓，單次擦拭使用1/4張無塵布，避免重復擦拭導致污染物擴散；12英寸晶圓需使用更大尺寸無塵布或分區(qū)域清潔。 -關鍵性能需求： -低發(fā)塵量：纖維直徑≤0.5微米，邊緣經激光切割處理，避免擦拭時產生毛屑污染晶圓。 -高吸附性：混合纖維結構可快速吸附液體污染物（如光刻膠溶劑）和固體顆粒（≥0.1微米）。

 2.蝕刻與薄膜沉積：腔體清潔與殘留物去除 -場景： 干法蝕刻或CVD（化學氣相沉積）后，腔體內壁及晶圓表面可能殘留蝕刻副產物（如聚合物、金屬離子）或未反應的氣體沉積物，需在下次工藝前清除，避免影響膜層質量或引發(fā)短路。 -操作要點： - 使用防靜電型超細無塵布（表面碳涂層處理）配合專用清潔棒，深入腔體縫隙或晶圓邊緣溝槽擦拭，防止靜電吸附的微粒二次污染。 - 對于敏感的金屬薄膜（如銅互連層），需用去離子水潤濕的無塵布輕拭，避免有機溶劑腐蝕薄膜。 -關鍵性能需求： -耐化學腐蝕：可承受氫氟酸（HF）、王水等強腐蝕性試劑，纖維不膨脹或斷裂。 -低靜電特性：表面電阻值≤10^9Ω，防止靜電放電（ESD）損傷蝕刻后的精細電路結構。

 3.封裝測試：切割道清潔與焊盤預處理 -場景： 晶圓切割（劃片）后，切割道附近可能殘留硅屑、切割液或研磨粉塵；封裝前需清潔焊盤表面，確保引線鍵合（Wire Bonding）或倒裝焊（Flip Chip）的可靠性。 -操作要點： - 先用高壓氮氣吹掃去除大顆粒硅屑，再用蘸取酒精的無塵布沿切割道垂直方向擦拭，清除微小顆粒和有機物殘留。 - 對于焊盤區(qū)域，使用無毛屑型無塵布（邊緣激光密封）輕輕點觸清潔，避免物理摩擦損傷焊盤鍍層（如金、鎳層）。